| 제품 모델 | NTMFD5C650NLT1G | 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | T6 60V LL S08FL DS | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | |
| 사용 가능한 양 | 51669 pcs | 데이터 시트 | NTMFD5C650NLT1G.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.2V @ 98µA | 제조업체 장치 패키지 | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
| 연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 4.2 mOhm @ 20A, 10V |
| 전력 - 최대 | 3.5W (Ta), 125W (Tc) | 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 50 Weeks | 무연 상태 | Lead free |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2546pF @ 25V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 37nC @ 10V |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) | FET 특징 | Standard |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60V | 상세 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 21A (Ta), 111A (Tc) 3.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 21A (Ta), 111A (Tc) |
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|---|---|---|
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