| 제품 모델 | NJX1675PDR2G | 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOIC | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 5223 pcs | 데이터 시트 | NJX1675PDR2G.pdf |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 30V | IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 115mV @ 200mA, 2A, 170mV @ 200mA, 2A |
| 트랜지스터 유형 | NPN, PNP | 제조업체 장치 패키지 | 8-SOIC |
| 연속 | - | 전력 - 최대 | 2W |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 주파수 - 전환 | 100MHz, 120MHz | 상세 설명 | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 3A 100MHz, 120MHz 2W Surface Mount 8-SOIC |
| IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 180 @ 1A, 2V | 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 100nA (ICBO) |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 3A |
| 페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송비 $ 35.00부터 지역 및 국가에 따라 다릅니다. |
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