제품 모델 | MMUN2131LT1G | 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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기술 | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 4699 pcs | 데이터 시트 | MMUN2131LT1G.pdf |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V | IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 250mV @ 5mA, 10mA |
트랜지스터 유형 | PNP - Pre-Biased | 제조업체 장치 패키지 | SOT-23-3 (TO-236) |
연속 | - | 저항기 - 이미 터베이스 (R2) | 2.2 kOhms |
저항기 -베이스 (R1) | 2.2 kOhms | 전력 - 최대 | 246mW |
포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 상세 설명 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 8 @ 5mA, 10V | 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 500nA |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 100mA | 기본 부품 번호 | MMUN21**L |
페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송비 $ 35.00부터 지역 및 국가에 따라 다릅니다. |
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