| 제품 모델 | FQD4P25TM-WS | 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 128807 pcs | 데이터 시트 | FQD4P25TM-WS.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA | Vgs (최대) | ±30V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | D-Pak |
| 연속 | QFET® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 2.1 Ohm @ 1.55A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) | 포장 | Original-Reel® |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 다른 이름들 | FQD4P25TM-WSDKR FQD4P25TM_WSDKR FQD4P25TM_WSDKR-ND |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 표준 리드 타임 | 9 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 420pF @ 25V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 14nC @ 10V | FET 유형 | P-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 250V | 상세 설명 | P-Channel 250V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.1A (Tc) |
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