FQD12N20LTM_SN00173

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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제품 개요

제품 모델:	FQD12N20LTM_SN00173
제조업체 / 브랜드:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
제품 설명	MOSFET N-CH 200V DPAK
사양서:
RoHS 상태	무연 / RoHS 준수
재고 상태	5262 pcs stock
에서 운송된다	홍콩
선적 방법	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5262 pcs

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제품 모델	FQD12N20LTM_SN00173	제조사	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술	MOSFET N-CH 200V DPAK	무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수
사용 가능한 양	5262 pcs	데이터 시트
아이디 @ VGS (일) (최대)	2V @ 250µA	Vgs (최대)	±20V
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)	제조업체 장치 패키지	D-Pak
연속	QFET®	이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)	280 mOhm @ 4.5A, 10V
전력 소비 (최대)	2.5W (Ta), 55W (Tc)	포장	Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount	무연 여부 / RoHS 준수 여부	Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	1080pF @ 25V	게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	21nC @ 5V
FET 유형	N-Channel	FET 특징	-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	5V, 10V	소스 전압에 드레인 (Vdss)	200V
상세 설명	N-Channel 200V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount D-Pak	전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	9A (Tc)

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