제품 모델 | FDC610PZ | 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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기술 | MOSFET P-CH 30V 4.9A SSOT-6 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 253461 pcs | 데이터 시트 | FDC610PZ.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA | Vgs (최대) | ±25V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | SuperSOT™-6 |
연속 | PowerTrench® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 42 mOhm @ 4.9A, 10V |
전력 소비 (최대) | 1.6W (Ta) | 포장 | Cut Tape (CT) |
패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | 다른 이름들 | FDC610PZCT |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 표준 리드 타임 | 42 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1005pF @ 15V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 24nC @ 10V | FET 유형 | P-Channel |
FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V | 상세 설명 | P-Channel 30V 4.9A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.9A (Ta) |
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