| 제품 모델 | FDB6030L | 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 5114 pcs | 데이터 시트 | FDB6030L.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA | Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | TO-263AB |
| 연속 | PowerTrench® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 13 mOhm @ 26A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 52W (Tc) | 포장 | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 작동 온도 | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1250pF @ 15V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 18nC @ 5V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V | 상세 설명 | N-Channel 30V 48A (Ta) 52W (Tc) Surface Mount TO-263AB |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 48A (Ta) |
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