BU323Z

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

이미지는 표현 일 수 있습니다. 제품 세부 사항은 사양을 참조하십시오.

제품 개요

제품 모델:	BU323Z
제조업체 / 브랜드:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
제품 설명	TRANS NPN DARL 350V 10A TO-218
사양서:	BU323Z.pdf
RoHS 상태	납 함유 / RoHS 비 준수
재고 상태	5201 pcs stock
에서 운송된다	홍콩
선적 방법	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5201 pcs

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제품 모델	BU323Z	제조사	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술	TRANS NPN DARL 350V 10A TO-218	무연 여부 / RoHS 준수 여부	납 함유 / RoHS 비 준수
사용 가능한 양	5201 pcs	데이터 시트	BU323Z.pdf
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)	350V	IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)	1.7V @ 250mA, 10A
트랜지스터 유형	NPN - Darlington	제조업체 장치 패키지	SOT-93
연속	-	전력 - 최대	150W
포장	Tube	패키지 / 케이스	TO-218-3
작동 온도	-65°C ~ 175°C (TJ)	실장 형	Through Hole
수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)	무연 여부 / RoHS 준수 여부	Contains lead / RoHS non-compliant
주파수 - 전환	2MHz	상세 설명	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350V 10A 2MHz 150W Through Hole SOT-93
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가	500 @ 5A, 4.6V	전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)	100µA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대)	10A

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