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Toshiba Semiconductor and Storage
| 제품 모델 | RN2112ACT(TPL3) | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| 기술 | TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 1159015 pcs | 데이터 시트 | RN2112ACT(TPL3).pdf |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 80mA | 전압 - 파괴 | CST3 |
| IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 50V | 연속 | - |
| RoHS 상태 | Tape & Reel (TR) | 저항 - 에미 터베이스 (R2) (옴) | 22k |
| 저항기 -베이스 (R1) (옴) | - | 전력 - 최대 | 100mW |
| 편광 | SC-101, SOT-883 | 다른 이름들 | RN2112ACT(TPL3)TR |
| 잡음 지수 (f에서 dB Typ) | - | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 부품 번호 | RN2112ACT(TPL3) |
| 주파수 - 전환 | 120 @ 1mA, 5V | 확장 설명 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3 |
| 기술 | TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 | IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 100nA (ICBO) |
| 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 150mV @ 250µA, 5mA | 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | PNP - Pre-Biased |
| 페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송비 $ 35.00부터 지역 및 국가에 따라 다릅니다. |
|---|---|---|
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