MRF5812R2

Microsemi Corporation

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제품 개요

In Stock 79829 pcs

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제품 모델	MRF5812R2	제조사	Microsemi Corporation
기술	RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC	무연 여부 / RoHS 준수 여부
사용 가능한 양	79829 pcs	데이터 시트	MRF5812R2.pdf
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)	200mA	전압 - 파괴	8-SO
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)	18V	연속	-
RoHS 상태	Tape & Reel (TR)	저항기 -베이스 (R1) (옴)	5GHz
전력 - 최대	1.25W	편광	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
작동 온도	150°C (TJ)	실장 형	Surface Mount
수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)	제조업체 부품 번호	MRF5812R2
이득	2dB @ 500MHz	주파수 - 전환	50 @ 50mA, 5V
FET 유형	15.5dB	확장 설명	RF Transistor NPN 18V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO
기술	RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC	전류 - 콜렉터 (IC) (최대)	NPN

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