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Microsemi Corporation
| 제품 모델 | 2N7334 | 제조사 | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
| 사용 가능한 양 | 4498 pcs | 데이터 시트 | 2N7334.pdf |
| 전압 - 테스트 | - | 전압 - 파괴 | MO-036AB |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 700 mOhm @ 600mA, 10V | 연속 | - |
| RoHS 상태 | Bulk | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1A |
| 전력 - 최대 | 1.4W | 편광 | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 부품 번호 | 2N7334 |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 60nC @ 10V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 4V @ 250µA |
| FET 특징 | 4 N-Channel | 확장 설명 | Mosfet Array 4 N-Channel 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | Standard | 기술 | MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100V |
| 페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송비 $ 35.00부터 지역 및 국가에 따라 다릅니다. |
|---|---|---|
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