| 제품 모델 | IRF6648TR1 | 제조사 | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
| 사용 가능한 양 | 4223 pcs | 데이터 시트 | IRF6648TR1.pdf |
| 전압 - 테스트 | 2120pF @ 25V | 전압 - 파괴 | DIRECTFET™ MN |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 7 mOhm @ 17A, 10V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 연속 | HEXFET® | RoHS 상태 | Tape & Reel (TR) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 86A (Tc) | 편광 | DirectFET™ Isometric MN |
| 다른 이름들 | IRF6648 IRF6648-ND SP001571492 |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 2 (1 Year) |
| 제조업체 부품 번호 | IRF6648TR1 | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 50nC @ 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 4.9V @ 150µA | FET 특징 | N-Channel |
| 확장 설명 | N-Channel 60V 86A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | - |
| 기술 | MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 60V |
| 용량 비율 | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
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