| 제품 모델 | IPP023NE7N3 G | 제조사 | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 75V 120A TO220 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 4322 pcs | 데이터 시트 | IPP023NE7N3 G.pdf |
| 전압 - 테스트 | 14400pF @ 37.5V | 전압 - 파괴 | - |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.3 mOhm @ 100A, 10V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 연속 | OptiMOS™ | RoHS 상태 | Cut Tape (CT) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 120A (Tc) | 편광 | TO-220-3 |
| 다른 이름들 | IPP023NE7N3 GCT | 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 부품 번호 | IPP023NE7N3 G | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 206nC @ 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 3.8V @ 273µA | FET 특징 | N-Channel |
| 확장 설명 | N-Channel 75V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | - |
| 기술 | MOSFET N-CH 75V 120A TO220 | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 75V |
| 용량 비율 | 300W (Tc) |
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