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GeneSiC Semiconductor
| 제품 모델 | 1N8031-GA | 제조사 | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
| 사용 가능한 양 | 513 pcs | 데이터 시트 | 1N8031-GA.pdf |
| 전압 - 피크 역 (최대) | Silicon Carbide Schottky | 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 1A |
| 전압 - 파괴 | TO-276 | 연속 | - |
| RoHS 상태 | Tube | 역 회복 시간 (trr) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 만약, F @ 저항 | 76pF @ 1V, 1MHz | 편광 | TO-276AA |
| 다른 이름들 | 1242-1118 1N8031GA |
작동 온도 - 정션 | 0ns |
| 실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 18 Weeks | 제조업체 부품 번호 | 1N8031-GA |
| 확장 설명 | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 1A Through Hole TO-276 | 다이오드 구성 | 5µA @ 650V |
| 기술 | DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276 | 전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 1.5V @ 1A |
| 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) | 650V | VR, F @ 용량 | -55°C ~ 250°C |
| 페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송비 $ 35.00부터 지역 및 국가에 따라 다릅니다. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | 기본 배송비 $ 35.00부터 지역 및 국가에 따라 다릅니다. |
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| TNT | www.TNT.com | 기본 배송비 $ 35.00부터 지역 및 국가에 따라 다릅니다. |
