| 제품 모델 | FJBE2150DTU | 제조사 | Fairchild/ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | TRANS NPN 800V 2A D2-PAK-2L | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 84156 pcs | 데이터 시트 | FJBE2150DTU.pdf |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 2A | 전압 - 파괴 | D²PAK (TO-263) |
| IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 800V | 연속 | ESBC™ |
| RoHS 상태 | Tube | 저항기 -베이스 (R1) (옴) | 5MHz |
| 전력 - 최대 | 110W | 편광 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 표준 리드 타임 | 6 Weeks |
| 제조업체 부품 번호 | FJBE2150DTU | 주파수 - 전환 | 20 @ 400mA, 3V |
| 확장 설명 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 2A 5MHz 110W Surface Mount D²PAK (TO-263) | 기술 | TRANS NPN 800V 2A D2-PAK-2L |
| IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 100µA | 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 250mV @ 330mA, 1A |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | NPN |
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