| 제품 모델 | FDS6875 | 제조사 | Fairchild/ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 123088 pcs | 데이터 시트 | FDS6875.pdf |
| 전압 - 테스트 | 2250pF @ 10V | 전압 - 파괴 | 8-SO |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 30 mOhm @ 6A, 4.5V | 연속 | PowerTrench® |
| RoHS 상태 | Tape & Reel (TR) | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 6A |
| 전력 - 최대 | 900mW | 편광 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 다른 이름들 | FDS6875TR | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 9 Weeks | 제조업체 부품 번호 | FDS6875 |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 31nC @ 5V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.5V @ 250µA |
| FET 특징 | 2 P-Channel (Dual) | 확장 설명 | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6A 900mW Surface Mount 8-SO |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | Logic Level Gate | 기술 | MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20V |
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