| 제품 모델 | FDP8870 | 제조사 | Fairchild/ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 49559 pcs | 데이터 시트 | 1.FDP8870.pdf2.FDP8870.pdf |
| 전압 - 테스트 | 5200pF @ 15V | 전압 - 파괴 | TO-220AB |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.1 mOhm @ 35A, 10V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 연속 | PowerTrench® | RoHS 상태 | Tube |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 19A (Ta), 156A (Tc) | 편광 | TO-220-3 |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 실장 형 | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 표준 리드 타임 | 12 Weeks |
| 제조업체 부품 번호 | FDP8870 | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 132nC @ 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.5V @ 250µA | FET 특징 | N-Channel |
| 확장 설명 | N-Channel 30V 19A (Ta), 156A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | - |
| 기술 | MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30V |
| 용량 비율 | 160W (Tc) |
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