| 제품 모델 | FDMS86105 | 제조사 | Fairchild/ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 100V POWER56 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 81222 pcs | 데이터 시트 | FDMS86105.pdf |
| 전압 - 테스트 | 645pF @ 50V | 전압 - 파괴 | 8-PQFN (5x6), Power56 |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 34 mOhm @ 6A, 10V | Vgs (최대) | 6V, 10V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 연속 | PowerTrench® |
| RoHS 상태 | Digi-Reel® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 6A (Ta), 26A (Tc) |
| 편광 | 8-PowerTDFN | 다른 이름들 | FDMS86105DKR |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 표준 리드 타임 | 18 Weeks |
| 제조업체 부품 번호 | FDMS86105 | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 11nC @ 10V |
| IGBT 유형 | ±20V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 4V @ 250µA |
| FET 특징 | N-Channel | 확장 설명 | N-Channel 100V 6A (Ta), 26A (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56 |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | - | 기술 | MOSFET N-CH 100V POWER56 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100V | 용량 비율 | 2.5W (Ta), 48W (Tc) |
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|---|---|---|
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