| 제품 모델 | FDD6N50TM | 제조사 | Fairchild/ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 500V 6A DPAK | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 4702 pcs | 데이터 시트 | FDD6N50TM.pdf |
| 전압 - 테스트 | 9400pF @ 25V | 전압 - 파괴 | D-Pak |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 900 mOhm @ 3A, 10V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 연속 | UniFET™ | RoHS 상태 | Tube |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 6A (Tc) | 편광 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 다른 이름들 | FDD6N50TM-5 | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 부품 번호 | FDD6N50TM | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 16.6nC @ 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 5V @ 250µA | FET 특징 | N-Channel |
| 확장 설명 | N-Channel 500V 6A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D-Pak | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | - |
| 기술 | MOSFET N-CH 500V 6A DPAK | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 500V |
| 용량 비율 | 89W (Tc) |
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