| 제품 모델 | NGTB50N60FWG | 제조사 | ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | IGBT 600V 100A 223W TO247 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 31174 pcs | 데이터 시트 | NGTB50N60FWG.pdf |
| 전압 - 오프셋 (VT) | 400V, 50A, 10 Ohm, 15V | 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 100A |
| 전압 - 파괴 | TO-247 | VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) | Trench |
| IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 600V | 시험 조건 | 117ns/285ns |
| Td (온 / 오프) @ 25 ° C | 310nC | 에너지 전환 | 200A |
| 연속 | - | RoHS 상태 | Tube |
| 전력 - 최대 | 223W | 편광 | TO-247-3 |
| 다른 이름들 | NGTB50N60FWGOS | 작동 온도 - 정션 | 77ns |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 부품 번호 | NGTB50N60FWG |
| 입력 유형 | Standard | 입력 정전 용량 (CIES) @ Vce가 | 1.7V @ 15V, 50A |
| 게이트 충전 | 1.1mJ (on), 1.2mJ (off) | 확장 설명 | IGBT Trench 600V 100A 223W Through Hole TO-247 |
| 기술 | IGBT 600V 100A 223W TO247 |
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