FDMQ8205A GreenBridge ™ 2 시리즈 고효율 브리지 정류기
FDMQ8205A GreenBridge ™ 2 시리즈 고효율 브리지 정류기
ON Semiconductor의 100V 정격 MOSFET 시리즈는 전압 강하로 인한 전력 손실을 줄입니다.
ON Semiconductor의 FDMQ8205A는 브리지 애플리케이션을위한 GreenBridge 2 시리즈 쿼드 MOSFET이며, 입력은 디바이스에 연결된 전원의 극성에 민감하지 않습니다. 많은 알려진 브리지 정류기 회로는 일반적인 다이오드를 사용하여 구성 할 수 있습니다. 종래의 다이오드 브리지는 많은 응용에서 바람직하지 않은 비교적 높은 전력 손실을 갖는다. PoE (Power over Ethernet) 전력 장치 (PD) 애플리케이션은 IEEE802.3at로 분류 된 PSE (Power Source Equipment)에서 제공하는 제한된 전력으로 작동해야하므로 고효율 브리지가 필요합니다.
FDMQ8205A는 낮은 R로 구성됩니다DS (ON), 듀얼 P-ch MOSFET 및 N-ch MOSFET은 기존 다이오드 브리지에 비해 전압 강하로 인한 전력 손실을 줄일 수 있습니다. FDMQ8205A를 통해 애플리케이션은 가용 전력 및 전압을 최대화하고 PoE PD 애플리케이션의 열 설계 문제를 제거 할 수 있습니다.
FDMQ8205A GreenBridge 2는 탐지 및 분류를 손상시키지 않으면 서 IEEE802.3at PoE 표준과 호환됩니다.
풍모
- 저전력 손실 GreenBridge, 다이오드 브리지 대체
- MOSFET 용 자동 구동 회로
- 낮은 RDS (ON) 100V 정격 MOSFET
- 가용 전력 및 전압 최대화
- 열 설계 문제 제거
- IEEE802.3at 호환
- 탐지 및 분류 요구 사항 충족
- 2 쌍 및 4 쌍 아키텍처와 호환
- 작은 백 피드 전압
- 소형 MLP 4.5x5 패키지
응용
- IP 전화
- 네트워크 카메라
- 무선 액세스 포인트
- 씬 클라이언트
- 마이크로 셀
- 펨토셀
FDMQ8205A IC
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 |  | FDMQ8205A | GREENBRIDGETM 2 시리즈의 High-E | 0 | 세부 정보보기 |