제품 모델 | SI5513DC-T1-GE3 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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기술 | MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 5994 pcs | 데이터 시트 | SI5513DC-T1-GE3.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.5V @ 250µA | 제조업체 장치 패키지 | 1206-8 ChipFET™ |
연속 | TrenchFET® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V |
전력 - 최대 | 1.1W | 포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | 8-SMD, Flat Lead | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 6nC @ 4.5V | FET 유형 | N and P-Channel |
FET 특징 | Logic Level Gate | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V |
상세 설명 | Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.1A, 2.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.1A, 2.1A |
기본 부품 번호 | SI5513 |
페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송비 $ 35.00부터 지역 및 국가에 따라 다릅니다. |
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