제품 모델 | FQU13N10LTU | 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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기술 | MOSFET N-CH 100V 10A IPAK | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 152359 pcs | 데이터 시트 | FQU13N10LTU.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2V @ 250µA | Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | I-PAK |
연속 | QFET® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 180 mOhm @ 5A, 10V |
전력 소비 (최대) | 2.5W (Ta), 40W (Tc) | 포장 | Tube |
패키지 / 케이스 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 | 5 Weeks | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 520pF @ 25V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 12nC @ 5V |
FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V, 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100V |
상세 설명 | N-Channel 100V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Through Hole I-PAK | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 10A (Tc) |
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